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IPC028N03L3

更新时间： 2024-11-09 11:15:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电池电脑
页数	文件大小	规格书
3页	627K
描述
英飞凌凭借全新的 OptiMOS™ 30V 产品系列，为分离功率 MOSFET设定了功率密度和能源效率的新标准。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，从而延长电池寿命

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IPC028N03L3

MOSFET

PowerꢀMOSꢀTransistorꢀChip

OptiMOSª3ꢀPowerꢀMOSꢀTransistorꢀChip

•ꢀN-channelꢀenhancementꢀmode

•ꢀForꢀdynamicꢀcharacterizationꢀreferꢀtoꢀtheꢀdatasheetꢀofꢀIPD060N03LꢀG

•ꢀAQLꢀ0.65ꢀforꢀvisualꢀinspectionꢀaccordingꢀtoꢀfailureꢀcatalogue

•ꢀElectrostaticꢀDischargeꢀSensitiveꢀDeviceꢀaccordingꢀtoꢀMIL-STDꢀ883C

•ꢀDieꢀbond:ꢀsolderedꢀorꢀglued

•ꢀBacksideꢀmetallization:ꢀNiVꢀsystem

•ꢀFrontsideꢀmetallization:ꢀAlCuꢀsystem

•ꢀPassivation:ꢀnitrideꢀ+ꢀimide

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

Drain

V_(BR)DSS

R_DS(on)

6.0¹⁾

mΩ

mm²

µm

Gate

Die size

Thickness

2.26 x 1.24

175

Source

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Chip

Marking

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IPC028N03L3

not defined

1ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀCharacteristicsꢀonꢀWaferꢀLevel

atꢀT_jꢀ=ꢀ25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ2ꢀꢀꢀꢀꢀ

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_(BR)DSS

V_GS(th)

I_DSS

V_GS=0ꢀVꢀ,I_D=1ꢀmA

V_DS=V_GS,ꢀI_D=250ꢀµA

V_GS=0ꢀVꢀ,V_DS=30ꢀV

V_GS=20ꢀVꢀ,V_DS=0ꢀV

2.2

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

Drain-source on- resistance

Reverse diode forward on-voltage

0.1

µA

I_GSS

5²⁾

100

50³⁾

1.1

R_DS(on)

V_SD

mΩ V_GS=10ꢀVꢀ,I_D=2.0ꢀA

V V_GS=0ꢀVꢀ,I_F=1A

0.86

¹⁾packaged in a PG-TO252-3 (see ref. product)

²⁾ꢀtypicalꢀbareꢀdieꢀR_DS(on);ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀwhenꢀusedꢀwithꢀ1x500µmꢀAl-wedge

³⁾limited by wafer test-equipment

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.6,ꢀꢀ2017-08-25

12 3

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