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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPC028N03L3 | INFINEON |
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英飞凌凭借全新的 OptiMOS™ 30V 产品系列，为分离功率 MOSFET设定了功率密 |
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| IPC045N10L3 | INFINEON |
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英飞凌的 OptiMOS ?100V、120V 和150V 系列导通电阻 (R DS (o |
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| IPC055N03L3 | INFINEON |
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英飞凌凭借全新的 OptiMOS? 30V 产品系列，为分离功率 MOSFET设定了功率密 |
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| IPC055N03L3X1SA1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IPC-100-60SE | ADVANTECH |
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1U Compact Fanless System with Intel® Atomâ |
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| IPC100N04S4-02 | INFINEON |
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N-channel - Enhancement mode |
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| IPC100N04S4-02_15 | INFINEON |
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N-channel - Enhancement mode |
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| IPC100N04S5-1R2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPC100N04S51R2ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPC100N04S5-1R7 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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