是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, DIE OR CHIP | 针数: | 10 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.42 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | COMPARATOR |
最大平均偏置电流 (IIB): | 1 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 1 µA |
最大输入失调电压: | 8000 µV | JESD-30 代码: | R-GDFP-F10 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 7.37 mm |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 10 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
输出类型: | OPEN-COLLECTOR | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | DIE OR CHIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5,+-15 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度: | 2.92 mm | 子类别: | Comparator |
最大压摆率: | 12 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Gold (Au) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
总剂量: | 300k Rad(Si) V | 宽度: | 6.35 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962F0721501VXC | INTERSIL | Radiation Hardened High Speed Dual Voltage Comparator |
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5962F0721801V9A | INTERSIL | Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN-PNP Transistor Array |
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5962F0721801VXC | INTERSIL | Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays |
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5962F0721802V9A | INTERSIL | Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays |
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5962F0721802VXC | INTERSIL | Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays |
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5962F0721803V9A | INTERSIL | Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays |
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