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3N189

更新时间: 2024-02-01 07:29:23
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英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

3N189 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.36Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最大漏极电流 (Abs) (ID):0.05 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-99
JESD-30 代码:O-MBCY-W8元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

3N189 数据手册

 浏览型号3N189的Datasheet PDF文件第2页 

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