是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.36 | Is Samacsys: | N |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.05 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-99 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W8 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
3N190 | INTERSIL | DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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3N190 | MICROSS | a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet |
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3N190 | CALOGIC | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier |
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3N190 | Linear Systems | P-CHANNEL DUAL MOSFET ENHANCEMENT MODE |
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3N190 | NJSEMI | Trans MOSFET P-CH 30V 0.05A 7-Pin TO-78 |
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3N190/D | NJSEMI | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 40V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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