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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.05 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-99 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 3N189 | INTERSIL | DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 3N189 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 25V 0.03A |
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| 3N190 | INTERSIL | DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 3N190 | MICROSS | a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet |
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| 3N190 | CALOGIC | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier |
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| 3N190 | Linear Systems | P-CHANNEL DUAL MOSFET ENHANCEMENT MODE |
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