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3N172

更新时间: 2024-02-07 19:43:03
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英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
122页 4127K
描述
N-CHANNEL JFET

3N172 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.37
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.05 A
最大漏源导通电阻:250 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):1 pFJEDEC-95代码:TO-72
JESD-30 代码:O-MBCY-W4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.375 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

3N172 数据手册

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