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3N165

更新时间： 2024-02-14 05:27:40

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英特矽尔 - INTERSIL		/
页数	文件大小	规格书
122页	4127K
描述
N-CHANNEL JFET

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3N165 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.66
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.05 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

3N165 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
3N165_TO-78	MICROSS	a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet	获取价格
3N165-6	Linear Systems	MONOLITHIC DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
3N165-TO-99-6L-ROHS	Linear	Transistor,	获取价格
3N166	INTERSIL	N-CHANNEL JFET	获取价格
3N166	MICROSS	a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet	获取价格
3N166	CALOGIC	Monolithic Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier	获取价格

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