是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.47 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
FET 技术: | JUNCTION | JEDEC-95代码: | TO-71 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W6 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.25 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Small Signal | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5453 | INTERSIL | DUAL N-CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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2N5453 | NJSEMI | DUAL N-CHANNEL JFET |
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2N5454 | INTERSIL | DUAL N-CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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2N5454 | NJSEMI | DUAL N-CHANNEL FETS |
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2N5455 | NJSEMI | PNP HIGH SPEED SATURATED LOGIC SWITCH |
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2N5457 | CENTRAL | Junction FETs Low Frequency/ Low Noise |
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