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2N5119

更新时间: 2024-02-02 04:44:26
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英特矽尔 - INTERSIL /
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2页 69K
描述
DIELECTRICALLY ISOLATED DUAL PNP GENERAL PURPOSE AMPLLIFIER

2N5119 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):0.01 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-609代码:e0
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.4 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):100 MHz

2N5119 数据手册

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