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2N5117

更新时间： 2024-02-06 08:14:31

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英特矽尔 - INTERSIL		/
页数	文件大小	规格书
2页	69K
描述
DIELECTRICALLY ISOLATED DUAL PNP GENERAL PURPOSE AMPLLIFIER

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2N5117 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	0.01 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2N5117 数据手册

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2N511A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-41VAR	获取价格
2N511B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-41VAR	获取价格
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