是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.76 | 配置: | SINGLE |
最大漏源导通电阻: | 100 Ω | FET 技术: | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss): | 6 pF | JEDEC-95代码: | TO-18 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N3973 | ETC | BJT |
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2N3975 | ETC | BJT |
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2N3976 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-98 |
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2N3978 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46 |
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2N3979 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46 |
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2N398 | NJSEMI | PNP germanium transistor for high-voltage, audio-frequency applications |
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