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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 3 pF | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3821_10 | MICROSEMI | N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE |
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| 2N3821UB | MICROSEMI | N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE |
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| 2N3822 | MICROSEMI | TECHNICAL DATA |
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| 2N3822 | NJSEMI | JFETS LOW FREQUENCY, LOW NOISE |
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| 2N3822 | INTERSIL | N-CHANNEL JFET |
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| 2N3822 | INTERFET | N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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