是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.46 | 其他特性: | LOW NOISE |
配置: | SINGLE | FET 技术: | JUNCTION |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N2609 | CENTRAL | Junction FETs Low Frequency/ Low Noise |
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2N2609 | MICROSEMI | P-CHANNEL J-FET |
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2N2609 | INTERSIL | N-CHANNEL JFET |
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2N2609 | NJSEMI | 20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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2N2609_08 | MICROSEMI | P-CHANNEL J-FET |
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2N2609E3 | MICROSEMI | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A |
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