生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.38 |
其他特性: | LOW NOISE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | FET 技术: | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss): | 5 pF | JEDEC-95代码: | TO-72 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.36 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6461 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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2N6461 | NJSEMI | N-P-N SILICON TRANSISTORS |
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2N6462 | NJSEMI | N-P-N SILICON TRANSISTORS |
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2N6462 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device |
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2N6463 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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2N6463 | NJSEMI | N-P-N SILICON TRANSISTORS |
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