是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.36 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW NOISE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | FET 技术: | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss): | 5 pF | JEDEC-95代码: | TO-72 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.36 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6453 | INTERFET | N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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2N6454 | INTERFET | N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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2N6461 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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2N6461 | NJSEMI | N-P-N SILICON TRANSISTORS |
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2N6462 | NJSEMI | N-P-N SILICON TRANSISTORS |
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2N6462 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device |
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