是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.37 | 其他特性: | LOW NOISE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
FET 技术: | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss): | 5 pF |
JEDEC-95代码: | TO-72 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.36 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6452 | INTERFET | N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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2N6452 | NJSEMI | N-CHANNEL SILICON JUNCTION FET |
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2N6453 | INTERFET | N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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2N6454 | INTERFET | N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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2N6461 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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2N6461 | NJSEMI | N-P-N SILICON TRANSISTORS |
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