2N3994A

更新时间： 2024-01-29 11:26:23

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INTERFET		晶体小信号场效应晶体管开关
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描述
P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N3994A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.32	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	300 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	3.5 pF	JEDEC-95代码：	TO-72
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N3994A 数据手册

B-8

01/99

2N3994, 2N3994A

P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

Absolute maximum ratings at T = 25¡C

¥ Choppers

¥ High Speed Commutators

Reverse Gate Source Voltage

Reverse Gate Drain Voltage

Continuous Forward Gate Current

Continuous Device Power Dissipation

Power Derating

25 V

– 10 mA

300 mW

2.4 mW/°C

At 25°C free air temperature:

Static Electrical Characteristics

2N3994

2N3994A

Process PJ99

Test Conditions

Min Max Min Max Unit

Gate Source Breakdown Voltage

Gate Source Cutoff Voltage

I = 1 µA, V = ØV

G DS

(BR)GSS

5.5

= – 10V, I = – 1 µA

GS(OFF)

Drain Saturation Current (Pulsed)

– 2

= – 10V, V = ØV

DSS

– 1.2

– 1

– 1.2 nA

– 1.2 µA

– 1.2 nA

= – 15V, I = ØA

Drain Reverse Current

Drain Cutoff Current

DGO

= – 15V, I = ØA

T = 150°C

= – 10V, V = 10V

D(OFF)

– 1

µA

= – 10V, V = 10V

T = 150°C

Dynamic Electrical Characteristics

Drain Source ON Resistance

300

Ω

= ØV, I = Ø A

f = 1 kHz

f = 1 MHz

ds(on)

Common Source

Forward Transmittance

| Y |

= – 10V, V = ØV

Common Source Input Capacitance

= – 10V, V = ØV

iss

Common Source

Reverse Transfer Capacitance

3.5

= Ø, V = 10V

rss

TOÐ72 Package

Dimensions in Inches (mm)

Pin Configuration

1 Source, 2 Gate, 3 Drain, 4 Case

1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042

(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375

www.interfet.com

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