2N3993A

更新时间： 2024-01-18 16:08:00

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INTERFET		晶体晶体管场效应晶体管斩波器
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描述
P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N3993A 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏源导通电阻：	150 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	3 pF
JEDEC-95代码：	TO-72	JESD-30 代码：	O-MBCY-W4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	CHOPPER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N3993A 数据手册

01/99

B-7

2N3993, 2N3993A

P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

Absolute maximum ratings at T = 25¡C

¥ Choppers

¥ High Speed Commutators

Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage

Continuous Forward Gate Current

Continuous Device Power Dissipation

Power Derating

25 V

– 10 mA

300 mW

2.4 mW/°C

At 25°C free air temperature:

Static Electrical Characteristics

2N3993

2N3993A

Process PJ99

Test Conditions

I = 1 µA, V = ØV

Min Max Min Max Unit

Gate Source Breakdown Voltage

Gate Source Cutoff Voltage

(BR)GSS

9.5

= – 10V, I = – 1 µA

GS(OFF)

Drain Saturation Current (Pulsed)

– 10

= – 10V, V = ØV

DSS

– 1.2

– 1

– 1.2 nA

– 1.2 µA

– 1.2 nA

= – 15V, I = ØA

Drain Reverse Current

Drain Cutoff Current

DGO

= – 15V, I = ØA

T = 150°C

= – 10V, V = 10 V

D(OFF)

– 1

µA

= – 10V, V = 10 V

T = 150°C

Dynamic Electrical Characteristics

Drain Source ON Resistance

150

Ω

= ØV, I = Ø A

f = 1 kHz

f = 1 MHz

ds(on)

Common Source

Forward Transmittance

| Y |

= – 10V, V = ØV

Common Source Input Capacitance

= – 10V, V = ØV

iss

Common Source

Reverse Transfer Capacitance

4.5

= Ø, V = 10V

rss

TOÐ72 Package

Dimensions in Inches (mm)

Pin Configuration

1 Source, 2 Gate, 3 Drain, 4 Case

1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042

(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375

www.interfet.com

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