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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WDIP, DIP32,.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.56 |
| 最长访问时间： | 200 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 | 长度： | 42.165 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 12 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 5.72 mm | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9323501MXX | INTEL | EEPROM, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 |
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| 5962-9323502MUA | INTEL | Flash, 256KX8, 150ns, CDFP32, CERAMIC, DFP-32 |
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| 5962-9323502MUX | INTEL | EEPROM, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CERAMIC, FP-32 |
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| 5962-9323502MXA | INTEL | Flash, 256KX8, 150ns, CDIP32, WINDOWED, CERDIP-32 |
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| 5962-9323502MXX | INTEL | EEPROM, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 |
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| 5962-9323503MUX | ETC | x8 Flash EEPROM |
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