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5962-9089902MXA

更新时间： 2024-01-26 04:37:25

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	763K
描述
Flash, 128KX8, 200ns, CDIP32, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32

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5962-9089902MXA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.56
最长访问时间：	200 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-GDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	42.165 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	WDIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE, WINDOW
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	5.72 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-9089902MXX	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-9089902MYA	ROCHESTER	Flash, 128KX8, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	获取价格
5962-9089902MYX	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-9089902MZA	ETC	x8 Flash EEPROM	获取价格
5962-9089902MZX	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-9089902QUA	ETC	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格