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5962-01-253-3265

更新时间: 2024-02-18 03:50:04
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 651K
描述
Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, MOS, CDIP16,

5962-01-253-3265 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69最长访问时间:200 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T16
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM
内存宽度:1端子数量:16
字数:65536 words字数代码:64000
最高工作温度:110 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:128
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B子类别:DRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:OTHER
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

5962-01-253-3265 数据手册

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