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5962-01-151-2860

更新时间: 2024-01-10 19:05:40
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 172K
描述
Standard SRAM, 256X4, 650ns, CMOS, PDIP22,

5962-01-151-2860 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP22,.4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:650 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T22
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:22
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0002 A
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

5962-01-151-2860 数据手册

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