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5962-01-141-9246

更新时间: 2024-02-26 01:48:50
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 303K
描述
Page Mode DRAM, 16KX1, 120ns, MOS, CDIP16,

5962-01-141-9246 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T16
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM
内存宽度:1端子数量:16
字数:16384 words字数代码:16000
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:128筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
子类别:DRAMs最大压摆率:0.025 mA
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

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