BTS917

更新时间： 2024-02-16 01:35:39

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英飞凌 - INFINEON		外围驱动器驱动程序和接口开关电源开关
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11页	183K
描述
Smart Lowside Power Switch

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BTS917 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.84
内置保护：	OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	输入特性：	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSFM-T5
功能数量：	1	端子数量：	5
输出特性：	OPEN-DRAIN	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	45 A	输出极性：	TRUE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大压摆率：	0.06 mA	标称供电电压：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	MOS
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
断开时间：	150 µs	接通时间：	70 µs
Base Number Matches：	1

BTS917 数据手册

HITFET BTS 917

Smart Lowside Power Switch

Features

Product Summary

Drain source voltage

On-state resistance

Current limit

• Logic Level Input

• Input Protection (ESD)

• Thermal Shutdown

• Overload protection

• Short circuit protection

100

mΩ

DS(on)

1.5 A

3.5 A

D(lim)

Nominal load current

Clamping energy

D(ISO)

1000 mJ

• Overvoltage protection

• Current limitation

• Maximum current adjustable with external resistor

• Current sense

• Status feedback with external input resistor

• Analog driving possible

Application

• All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching or

linear applications

• µC compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications

• Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS chip on chip tech-

nology. Fully protected by embedded protected functions.

LOAD

Drain

Overvoltage

protection

Current

dv/dt

limitation

Over-

temperature

protection

Overload

protection

Short circuit

ESD

protection

Source

HITFET

Page 1

02.12.1998

Semiconductor Group

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BTS917E3062A	INFINEON	Peripheral Driver, 1 Driver, MOS	获取价格
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