BTS7811K

更新时间： 2024-01-27 22:28:19

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英飞凌 - INFINEON		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路
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18页	328K
描述
TrilithIC

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BTS7811K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	, SMSIP15H,.6,55TB	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE
驱动器位数：	4	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PSSO-G15	长度：	21.6 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	3
端子数量：	15	输出电流流向：	SOURCE AND SINK
标称输出峰值电流：	42 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SMSIP15H,.6,55TB	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	8/18 V	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Peripheral Drivers	最大供电电压：	42 V
最小供电电压：	1.8 V	标称供电电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.4 mm
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	250 µs	接通时间：	220 µs
宽度：	9.25 mm	Base Number Matches：	1

BTS7811K 数据手册

TrilithIC

BTS 7811K

Data Sheet

Overview

1.1

Features

• Quad D-MOS switch

• Free configurable as bridge or quad-switch

• Optimized for DC motor management applications

• Low R_{DS ON}: 26 mΩ high-side switch, 14 mΩ low-side

switch (typical values @ 25 °C)

P-TO263-15-1

• Maximum peak current: typ. 42 A @ 25 °C

• Very low quiescent current: typ. 4 µA @ 25 °C

• Small outline, thermal optimized PowerPak

• Load and GND-short-circuit-protection

• Operates up to 40 V

• Status flag for over temperature

• Open load detection in Off-mode

• Overtemperature shut down with hysteresis

• Internal clamp diodes

• PWM capability up to 25kHz

• Cross current free operation up to 13A load current (typ. value @ 12V/150°C)

• Under-voltage detection with hysteresis

Type

Package

BTS 7811K

P-TO263-15-1

1.2

Description

The BTS 7811K is part of the TrilithIC family containing three dies in one package:

One double high-side switch and two low-side switches. The drains of these three

vertical DMOS chips are mounted on separated leadframes. The sources are connected

to individual pins, so the BTS 7811K can be used in H-bridge- as well as in any other

configuration. The double high-side is manufactured in SMART SIPMOS^®technology

which combines low R_{DS ON}vertical DMOS power stages with CMOS control circuit. The

protected high-side switch contains the control and diagnosis circuit. To achieve low

R_{DS ON}and fast switching performance, the low-side switches are manufactured in S-

FET 2 logic level technology.

Data Sheet

Rev. 2.0, 2006-07-18

12 3 4 5 6 7...18

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与BTS7811K相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BTS781GP	INFINEON	TrilithIC	获取价格
BTS7904B	INFINEON	OptiMOS -T PN Half Bridge	获取价格
BTS7904BATMA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 55V, 0.0202ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe	获取价格
BTS7904S	INFINEON	OptiMOS -T PN Half Bridge	获取价格
BTS7904SAKSA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 55V, 0.0205ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe	获取价格
BTS7930B	INFINEON	High Current PN Half Bridge NovalithIC 30 A,	获取价格

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