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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> BTS621L1E3230
BTS621L1E3230 PDF预览

BTS621L1E3230

更新时间： 2024-02-18 05:33:38
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
15页 337K
描述
Smart Two Channel Highside Power Switch

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BTS621L1E3230 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.31
内置保护：OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE输入特性：SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PSFM-T7
功能数量：1端子数量：7
输出特性：OPEN-SOURCE输出电流流向：SOURCE
标称输出峰值电流：18 A输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大压摆率：6 mA最大供电电压：34 V
最小供电电压：5 V标称供电电压：12 V
表面贴装：NO技术：MOS
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
断开时间：400 µs接通时间：400 µs
Base Number Matches：1

BTS621L1E3230 数据手册

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®
PROFET  
BTS621L1  
Smart Two Channel Highside Power Switch  
Features  
Product Summary  
•
Overload protection  
Overvoltage protection Vbb(AZ)  
43  
V
•
•
•
•
•
•
•
Current limitation  
V
5.0 ... 34 V  
Short circuit protection  
Operating voltage  
bb(on)  
Thermal shutdown  
both  
channels: each  
parallel  
Overvoltage protection (including load dump)  
Fast demagnetization of inductive loads  
On-state resistance RON  
Load current (ISO)  
Current limitation  
100  
4.4  
8
50  
8.5  
8
mΩ  
A
1
)
Reverse battery protection  
IL(ISO)  
IL(SCr)  
Undervoltage and overvoltage shutdown with  
auto-restart and hysteresis  
A
•
•
•
•
•
Open drain diagnostic output  
Open load detection in ON-state  
CMOS compatible input  
TO-220AB/7  
Loss of ground and loss of V protection  
Electrostatic discharge (ESD) protection  
bb  
7
7
7
1
1
1
Application  
Straight leads  
SMD  
Standard  
•
µC compatible power switch with diagnostic  
feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads  
•
•
All types of resistive, inductive and capacitve loads  
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits  
General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic  
feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions.  
+ V  
bb  
4
Current  
limit 1  
Gate 1  
Voltage  
source  
Overvoltage  
protection  
protection  
V
Logic  
OUT1  
Limit for  
Level shifter  
Rectifier 1  
Voltage  
sensor  
unclamped  
ind. loads 1  
1
7
Temperature  
sensor 1  
3
6
IN1  
IN2  
Charge  
pump 1  
Open load  
Short to Vbb  
detection 1  
Logic  
ESD  
Charge  
pump 2  
5
Gate 2  
protection  
ST  
Current  
limit 2  
OUT2  
R
Level shifter  
Rectifier 2  
Limit for  
unclamped  
ind. loads 2  
Load  
Temperature  
sensor 2  
Open load  
R
O1  
O2  
Short to Vbb  
GND  
detection 2  
GND  
PROFET  
2
Signal GND  
Load GND  
1)  
With external current limit (e.g. resistor R  
=150 Ω) in GND connection, resistor in series with ST  
GND  
connection, reverse load current limited by connected load.  
Semiconductor Group  
1 of 15  
2003-Oct-01  
1234567...15

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