BTS452T

更新时间： 2024-02-28 04:37:15

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Smart Power High-Side-Switch

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BTS452T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-252,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.76	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
长度：	6.5 mm	功能数量：	1
端子数量：	4	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	2.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TO-252	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	2.5 mm	最大供电电压：	52 V
最小供电电压：	6 V	标称供电电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.14 mm
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	200 µs	接通时间：	180 µs
宽度：	6.22 mm	Base Number Matches：	1

BTS452T 数据手册

BTS 452 T

Smart Power High-Side-Switch

Features

Product Summary

• Overload protection

• Current limitation

Overvoltage protection

Operating voltage

6...52 V

bb(AZ)

bb(on)

• Short circuit protection

• Thermal shutdown with restart

• Overvoltage protection

(including load dump)

On-state resistance

Nominal load current

200 mΩ

1.8

L(ISO)

• Fast demagnetization of inductive loads

• Reverse battery protection

with external resistor

• CMOS compatible input

• Loss of GND and loss of V protection

• ESD - Protection

P-TO252-5-11

• Very low standby current

Application

• All types of resistive, inductive and capacitive loads

• µC compatible power switch for 12 V, 24 V and 42 V DC applications

• Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input,

monolithically integrated in Smart SIPMOS technology.

Providing embedded protective functions.

2004-01-27

Page 1

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