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BTS410H2 PDF预览

BTS410H2

更新时间： 2024-01-11 22:26:20
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关过载保护局域网
页数 文件大小 规格书
13页 171K
描述
Smart Highside Power Switch (Overload protection Current limitation Short circuit protection Thermal shutdown)

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BTS410H2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220AB, 5 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.24Is Samacsys：N
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE驱动器位数：1
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PZFM-T5
JESD-609代码：e0功能数量：1
端子数量：5输出电流流向：SOURCE
标称输出峰值电流：1.8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：ZIP封装等效代码：ZIP5,.15,.2,67TB
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：4.5/42 V
认证状态：Not Qualified子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：42 V最小供电电压：4.7 V
标称供电电压：12 V表面贴装：NO
技术：MOS端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：1.7 mm
端子位置：ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：85 µs接通时间：125 µs
Base Number Matches：1

BTS410H2 数据手册

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®
PROFET BTS 410 H2  
Smart Highside Power Switch  
Features  
Product Summary  
•
•
•
•
•
•
•
•
Overload protection  
Overvoltage protection  
Vbb(AZ)  
65  
V
Current limitation  
Short circuit protection  
Thermal shutdown  
Overvoltage protection (including load dump)  
Fast demagnetization of inductive loads  
Reverse battery protection  
Undervoltage and overvoltage shutdown with  
auto-restart and hysteresis  
V
4.7 ... 42 V  
Operating voltage  
On-state resistance  
Load current (ISO)  
Current limitation  
bb(on)  
R
ON  
220  
mΩ  
I
I
1.8  
1.5  
A
A
L(ISO)  
L(SCr)  
1
)
TO-220AB/5  
•
•
•
•
•
Open drain diagnostic output  
Open load detection in OFF-state  
CMOS compatible input  
Loss of ground and loss of V protection  
Electrostatic discharge (ESD) protection  
5
5
bb  
5
1
1
Straight leads  
Standard  
SMD  
Application  
•
•
•
µC compatible power switch with diagnostic feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads  
Most suitable for inductive loads  
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits  
General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic  
feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection  
functions.  
+ V  
bb  
3
Vo lta g e  
so urc e  
Ga te  
Ove rvo lta g e  
p ro te c tio n  
Curre nt  
lim it  
p ro te c tio n  
V
Logic  
OUT  
Lim it fo r  
unc la m p e d  
ind . lo a d s  
Cha rg e p um p  
Le ve l shifte r  
Vo lta g e  
se nso r  
5
Te m p e ra ture  
se nso r  
Re c tifie r  
IN  
2
Op e n lo a d  
d e te c tio n  
Load  
Lo g ic  
ESD  
4
ST  
Sho rt c irc uit  
d e te c tio n  
PROFET  
GND  
1
Load GND  
Signal GND  
1)  
With external current limit (e.g. resistor R =150 Ω) in GND connection, resistors in series with IN and ST  
GND  
connections, reverse load current limited by connected load.  
Semiconductor Group  
1
03.97  
1234567...13

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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