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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> BTS410D2E3062A
BTS410D2E3062A PDF预览

BTS410D2E3062A

更新时间： 2024-01-12 17:33:21
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关
页数 文件大小 规格书
14页 176K
描述
Smart Highside Power Switch

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BTS410D2E3062A 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.26
Is Samacsys：N内置保护：OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
输入特性：SCHMITT TRIGGER接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PSSO-G4功能数量：1
端子数量：4输出特性：OPEN-SOURCE
输出电流流向：SOURCE标称输出峰值电流：12 A
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大压摆率：2.1 mA
最大供电电压：42 V最小供电电压：4.7 V
标称供电电压：12 V表面贴装：YES
技术：MOS端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE断开时间：85 µs
接通时间：125 µsBase Number Matches：1

BTS410D2E3062A 数据手册

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®
PROFET BTS 410 D2  
Smart Highside Power Switch  
Features  
Product Summary  
•
•
•
•
•
•
•
•
Overload protection  
Overvoltage protection  
Vbb(AZ)  
65  
V
Current limitation  
Short circuit protection  
Thermal shutdown  
Overvoltage protection (including load dump)  
Fast demagnetization of inductive loads  
Reverse battery protection  
Undervoltage and overvoltage shutdown with  
auto-restart and hysteresis  
V
4.7 ... 42 V  
Operating voltage  
On-state resistance  
Load current (ISO)  
Current limitation  
bb(on)  
R
ON  
220  
mΩ  
I
I
1.8  
5
A
A
L(ISO)  
L(SCr)  
1
)
TO-220AB/5  
•
•
•
•
•
CMOS diagnostic output  
Open load detection in ON-state  
CMOS compatible input  
Loss of ground and loss of V protection  
Electrostatic discharge (ESD) protection  
5
5
bb  
5
1
1
Straight leads  
Standard  
SMD  
Application  
•
•
•
µC compatible power switch with diagnostic feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads  
All types of resistive, inductive and capacitve loads  
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits  
General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic  
feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection  
functions.  
+ V  
bb  
3
Vo lta g e  
so urc e  
Ga te  
Ove rvo lta g e  
p ro te c tio n  
Curre nt  
lim it  
p ro te c tio n  
V
Logic  
OUT  
Lim it fo r  
unc la m p e d  
ind . lo a d s  
Cha rg e p um p  
Le ve l shifte r  
Vo lta g e  
se nso r  
5
Te m p e ra ture  
se nso r  
Re c tifie r  
IN  
2
Op e n lo a d  
d e te c tio n  
Load  
Lo g ic  
ESD  
4
ST  
Sho rt c irc uit  
d e te c tio n  
PROFET  
GND  
1
Load GND  
Signal GND  
1)  
With external current limit (e.g. resistor R =150 Ω) in GND connection, resistors in series with IN and ST  
GND  
connections, reverse load current limited by connected load.  
Semiconductor Group  
1
03.97  
1234567...14

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