BTS133TC

更新时间： 2024-02-19 02:10:31

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Smart Low Side Power Switch

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BTS133TC 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-263,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.61
其他特性：	SEATED HGT-NOM; SEATED HGT-CALCULATED	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
长度：	10 mm	功能数量：	1
端子数量：	2	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TO-263	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	座面最大高度：	4.5 mm
表面贴装：	YES	技术：	MOS
端子形式：	GULL WING	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	SINGLE	断开时间：	170 µs
接通时间：	100 µs	宽度：	9.25 mm
Base Number Matches：	1

BTS133TC 数据手册

Smart Low Side Power Switch

HITFET BTS 133TC

Product Summary

Features

Drain source voltage

On-state resistance

Current limit

• Logic Level Input

mΩ

DS(on)

• Input Protection (ESD)

•=Thermal shutdown with latch

(

)

D lim

Nominal load current

Clamping energy

D(ISO)

• Short circuit and Overload protection

• Overvoltage protection

2000 mJ

• Current limitation

• Status feedback with external input resistor

• Analog driving possible

•

AEC qualified

• Green product (RoHS compliant)

Application

• All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching or

linear applications

• μC compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications

• Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS chip on chip tech-

nology. Providing embedded protection functions.

LOAD

Drain

Overvoltage

protection

Current

dv/dt

limitation

Over-

temperature

Overload

protection

Short circuit

protection

ESD

protection

Source

HITFET

Datasheet

Rev. 1.0, 2009-07-20

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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