BTS117TC

更新时间： 2024-02-26 01:02:55

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描述
Smart Low Side Power Switch

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BTS117TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-263,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	2.35	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
长度：	10 mm	功能数量：	1
端子数量：	3	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TO-263	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	150 µs
接通时间：	70 µs	宽度：	9.25 mm
Base Number Matches：	1

BTS117TC 数据手册

Smart Low Side Power Switch

HITFET BTS 117TC

Features

Product Summary

• Logic Level Input

Drain source voltage

On-state resistance

Current limit

100

• Input Protection (ESD)

•=Thermal shutdown with latch

• Overload protection

• Short circuit protection

• Overvoltage protection

• Current limitation

mΩ

DS(on)

D(lim)

Nominal load current

Clamping energy

3.5 A

D(ISO)

1000 mJ

• Status feedback with external input resistor

• Analog driving possible

•

AEC qualified

• Green product (RoHS compliant)

Application

• All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching or

linear applications

• μC compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications

• Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS chip on chip tech-

nology. Providing embedded protection functions.

LOAD

Drain

Overvoltage

protection

Current

dv/dt

limitation

Over-

temperature

Overload

protection

Short circuit

protection

ESD

protection

Source

HITFET

Datasheet

Rev. 1.0, 2009-07-20

12 3 4 5 6 7...11

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