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INC5004AP1 PDF预览

INC5004AP1

更新时间： 2024-11-13 12:31:11
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谏早电子 - ISAHAYA /
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2页 118K
描述
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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INC5004AP1 数据手册

 浏览型号INC5004AP1的Datasheet PDF文件第2页 
<SMALL-SIGNAL TRANSISTOR>  
INC5004AP1  
PRELIMINARY  
Notice：This is not a final specification  
Some parametric are subject to change.  
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION  
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE  
DESCRIPTION  
OUTLINE DRAWING  
UNIT：ｍｍ  
INC5004AP1 is a silicon NPN transistor.  
4.6 MAX  
1.6  
It is designed with high voltage.  
1.5  
FEATURE  
・Small package for easy mounting.  
・E to B High voltage VEBO=9V  
・High collector current ICM=8A  
・Low voltage VCE(sat)=0.28V(Type)  
C
E
B
0.53  
MAX  
0.4  
0.48 MAX  
1.5  
3.0  
APPLICATION  
MARKING  
Inverter, Stroboscope flash  
DC-DC converter, High current switching  
TERMINAL CONNECTOR  
E：EMITTER  
B：BASE  
JEITA:SC-62  
J
C：COLLECTOR  
JEDEC:SOT-89  
MAXIMUM RATING（Ta=25℃）  
SYMBOL  
VCBO  
VEBO  
VCEO  
I C  
PARAMETER  
Collector to Base voltage  
Emitter to Base voltage  
RATING  
UNIT  
MARKING  
Type Name  
50  
V
V
9
Collector to Emitter voltage  
Collector current(PC=2W)  
Peak collector current *1  
Collector dissipation(Ta=25℃)  
Collector dissipation(Ta=25℃) *2  
Junction temperature  
20  
V
5
A
B J  
I CM  
8
500  
A
mW  
mW  
℃
℃
PC  
W
2
Tj  
＋150  
-55～＋150  
LOT №  
hFE ITEM  
Tstg  
Storage temperature  
*1 Single pulse Pw=10msec  
*2 Mounted on a glass ceramics board (46mm×19mm×0.8mm)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
LIMITS  
SYMBOL  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
I C=10μA，I E=0A  
UNIT  
MIN  
50  
9
TYP  
MAX  
-
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
V(BR)CEO  
ICBO  
C to B break down voltage  
E to B break down voltage  
C to E break down voltage  
Collector cut off current  
Emitter cut off current  
-
-
V
V
I E=10μA，I C=0A  
I C=1mA，RBE=∞  
VCB=40V，I E=0A  
VEB=7V，I C=0A  
-
20  
-
-
-
V
-
100  
100  
600  
-
nA  
nA  
-
IEBO  
-
-
hFE1  
DC forward current gain1  
DC forward current gain2  
C to E saturation voltage  
VCE=2V，I C=500mA  
VCE=2V，I C=2A  
230  
150  
-
-
hFE2  
-
-
VCE(sat)  
I C=3A，I B=100mA  
0.28  
0.8  
V
fT  
Gain bandwidth product  
VCE=6V, I E=-50mA  
-
-
150  
-
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector output capacitance  
VCE=10V, I E=0A, f=1MHz  
50  
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION  
12

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