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INA6005AC1

更新时间： 2024-09-25 12:03:55

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描述
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

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INA6005AC1 数据手册

INA6005AC1

PRELIMINARY

Notice：This is not a final specification

Some parametric are subject to change.

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION

SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

DESCRIPTION

OUTLINE DRAWING

UNIT：mm

2.8

1.5

INA6005AC1 is a silicon PNP transistor.

It is designed with high voltage.

0.65

FEATURE

①

②

・Super mini package for easy mounting

・High voltage V_CEO=-400V

③

APPLICATION

DC/DC convertor, High voltage switching

JEITA:SC-59

JEDEC: Similar to TO-236

Terminal Connector

①：Base

②：Emitter

③：Collector

MAXIMUM RATING（Ta=25℃）

SYMBOL

V_CBO

V_EBO

V_CEO

I _C

PARAMETER

Collector to Base voltage

Emitter to Base voltage

Collector to Emitter voltage

Collector current

RATING

-400

UNIT

MARKING

Type Name

-7

-400

-100

℃

P_C

Collector dissipation(Ta=25℃)

Junction temperature

200

A L A

T_j

＋150

-55～＋150

T_stg

Storage temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）

LIMITS

SYMBOL

PARAMETER

TEST CONDITIONS

I _C=-50μA，I _E=0mA

UNIT

MIN

-400

-7

-400

TYP

MAX

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_(BR)CEO

I_CBO

C to B break down voltage

E to B break down voltage

C to E break down voltage

Collector cut off current

Emitter cut off current

I _E=-50μA，I _C=0mA

I _C=-1mA，R _BE=∞

V_CB=-400V，I _E=0mA

V_EB=-6V，I _C=0mA

-1

200

-0.6

μA

I_EBO

ｈ_ＦＥ

DC forward current gain

C to E saturation voltage

Gain bandwidth product

Collector output capacitance

V_CE=-10V，I _C=-10mA

I _C=-20mA，I _B=-2mA

V_CE=-20V，I _E=10mA，f=100MHz

V_CB=-10V，I _E=0mA，f=1MHz

V_CE(sat)

f_T

5.5

MHz

Cob

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