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INA214CQDCKRQ1

更新时间： 2024-11-19 11:07:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 850K
描述
AEC-Q100、26V、双向、高精度电流感应放大器 | DCK | 6 | -40 to 125

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INA214CQDCKRQ1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SC-70, 6 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.77
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：35 µA
最大共模电压：26 V最小共模抑制比：105 dB
标称共模抑制比：140 dB最大输入失调电压：60 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e4
长度：2 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：6
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.1 mm标称压摆率：0.4 V/us
子类别：Operational Amplifier供电电压上限：26 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：30 kHz标称电压增益：100
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

INA214CQDCKRQ1 数据手册

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INA213-Q1  
INA214-Q1  
www.ti.com  
SBOS475B –MARCH 2009–REVISED JUNE 2010  
VOLTAGE OUTPUT, HIGH OR LOW SIDE MEASUREMENT, BIDIRECTIONAL, ZERO-DRIFT  
CURRENT SHUNT MONITOR  
Check for Samples: INA213-Q1, INA214-Q1  
1
FEATURES  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
•
•
Notebook Computers  
Cell Phones  
Telecom Equipment  
Power Management  
Battery Chargers  
Welding Equipment  
2
•
Qualified for Automotive Applications  
•
•
Wide Common-Mode Range: –0.3 V to 26 V  
Offset Voltage: ±100 µV (Max)  
Enables Shunt Drops of 10 mV Full-Scale  
•
•
Accuracy  
–
–
–
±1% Gain Error (Max Over Temperature)  
0.5 µV/°C Offset Drift (Max)  
DCK PACKAGE  
(TOP VIEW)  
10 ppm/°C Gain Drift (Max)  
Choice of Gain  
REF  
GND  
V+  
1
2
3
6
5
4
OUT  
IN-  
–
–
INA213: 50 V/V  
INA214: 100 V/V  
IN+  
•
•
Quiescent Current: 100 µA (Max)  
SC70 Package  
DESCRIPTION  
The INA213 and INA214 are voltage-output current-shunt monitors that can sense drops across shunts at  
common-mode voltages from –0.3 V to 26 V, independent of the supply voltage. The INA213 offers a fixed gain  
of 50 V/V, and the INA214 offers a fixed gain of 100 V/V. The low offset of the zero-drift architecture enables  
current sensing with maximum drops across the shunt as low as 10-mV full-scale.  
The devices operate from a single 2.7-V to 26-V power supply, drawing a maximum of 100 µA of supply current.  
They are specified over the operating temperature range of –40°C to 125°C and are offered in an SC70 package.  
RSHUNT  
Reference  
Voltage  
Supply  
Load  
Output  
INA21x  
OUT  
REF  
R1  
R3  
IN-  
GND  
2.7 V to 26 V  
IN+  
V+  
R2  
R4  
CBYPASS  
0.01 mF  
to  
PRODUCT  
GAIN  
R3 and R4  
R1 and R2  
INA213  
INA214  
50  
20 kW  
10 kW  
1 MW  
1 MW  
0.1 mF  
100  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
All trademarks are the property of their respective owners.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2009–2010, Texas Instruments Incorporated  
1234567...20

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与INA214CQDCKRQ1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
INA214-Q1 TI

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 		VOLTAGE OUTPUT, HIGH OR LOW SIDE MEASUREMENT, BIDIRECTIONAL, ZERO-DRIFT CURRENT SHUNT MONI
INA215 TI

获取价格

 		INA21x Voltage Output, Low- or High-Side Measurement, Bidirectional, Zero-Drift Series, Cu
INA215AIDCKR TI

获取价格

 		26V、双向、高精度电流感应放大器 | DCK | 6 | -40 to 125
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