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INA128P

更新时间： 2024-11-03 12:08:39
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 仪表放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 1898K
描述
Precision, Low Power INSTRUMENTATION AMPLIFIERS

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INA128P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.13Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：181351
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Dual-In-Line PackagesSamacsys Footprint Name：P (R-PDIP-T8)
Samacsys Released Date：2015-06-24 00:00:00Is Samacsys：N
放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.005 µA
标称带宽 (3dB)：1.3 MHz最小共模抑制比：80 dB
最大输入失调电流 (IIO)：0.005 µA最大输入失调电压：550 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e4
长度：9.81 mm负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V最大非线性：0.002%
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE包装方法：TUBE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
标称压摆率：4 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
最大压摆率：0.75 mA供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
技术：BIPOLAR温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压增益：10000
最小电压增益：1标称电压增益：10
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

INA128P 数据手册

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INA128  
INA129  
SBOS051B − OCTOBER 1995 − REVISED FEBRUARY 2005  
Precision, Low Power  
INSTRUMENTATION AMPLIFIERS  
FD EATURES  
DESCRIPTION  
LOW OFFSET VOLTAGE: 50µV max  
LOW DRIFT: 0.5µV/5C max  
The INA128 and INA129 are low power, general  
purpose instrumentation amplifiers offering excellent  
accuracy. The versatile 3-op amp design and small size  
make them ideal for a wide range of applications.  
Current-feedback input circuitry provides wide  
bandwidth even at high gain (200kHz at G = 100).  
D
D
D
D
D
D
D
LOW INPUT BIAS CURRENT: 5nA max  
HIGH CMR: 120dB min  
INPUTS PROTECTED TO +40V  
WIDE SUPPLY RANGE: +2.25V to +18V  
LOW QUIESCENT CURRENT: 700µA  
8-PIN PLASTIC DIP, SO-8  
A single external resistor sets any gain from 1 to 10,000.  
The INA128 provides an industry-standard gain  
equation; the INA129 gain equation is compatible with  
the AD620.  
AD PPLICATIONS  
The INA128/INA129 is laser trimmed for very low offset  
BRIDGE AMPLIFIER  
voltage (50µV),  
drift (0.5µV/°C) and high  
D
D
D
D
THERMOCOUPLE AMPLIFIER  
RTD SENSOR AMPLIFIER  
MEDICAL INSTRUMENTATION  
DATA ACQUISITION  
common-mode rejection (120dB at G ≥ 100). It  
operates with power supplies as low as 2.25V, and  
quiescent current is only 700µA—ideal for battery-  
operated systems. Internal input protection can  
withstand up to 40V without damage.  
The INA128/INA129 is available in 8-pin plastic DIP and  
SO-8 surface-mount packages, specified for the –40°C  
to +85°C temperature range. The INA128 is also  
available in a dual configuration, the INA2128.  
V+  
7
INA128:  
Ω
RG  
50k  
INA128, INA129  
G = 1 +  
−
VIN  
2
1
Over-Voltage  
Protection  
A1  
INA129:  
Ω
Ω
40k  
40k  
Ω
49.4k  
G = 1 +  
(1)  
25kΩ  
RG  
6
5
A3  
VO  
RG  
8
3
(1)  
25kΩ  
A2  
Ref  
+
VIN  
Over-Voltage  
Protection  
Ω
Ω
40k  
40k  
4
Ω
NOTE: (1) INA129: 24.7k  
V−  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas Instruments  
semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
All trademarks are the property of their respective owners.  
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Copyright 1995−2005, Texas Instruments Incorporated  
www.ti.com  
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