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INA121P

更新时间： 2024-11-24 02:58:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 361K
描述
FET-Input, Low Power INSTRUMENTATION AMPLIFIER

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INA121P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.48Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：414319
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Dual-In-Line PackagesSamacsys Footprint Name：INA121P
Samacsys Released Date：2019-09-28 13:54:59Is Samacsys：N
放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.00005 µA
标称带宽 (3dB)：0.6 MHz最小共模抑制比：96 dB
最大输入失调电流 (IIO)：5e-7 µA最大输入失调电压：500 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e4
长度：9.81 mm负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V最大非线性：0.005%
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE包装方法：TUBE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
标称压摆率：0.7 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
最大压摆率：0.53 mA供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压增益：10000最小电压增益：1
标称电压增益：10宽度：6.35 mm
Base Number Matches：1

INA121P 数据手册

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®
INA121  
INA121  
INA121  
FET-Input, Low Power  
INSTRUMENTATION AMPLIFIER  
FEATURES  
DESCRIPTION  
● LOW BIAS CURRENT: ±4pA  
The INA121 is a FET-input, low power instrumenta-  
tion amplifier offering excellent accuracy. Its versatile  
three-op amp design and very small size make it ideal  
for a variety of general purpose applications. Low bias  
current (±4pA) allows use with high impedance  
sources.  
● LOW QUIESCENT CURRENT: ±450µA  
● LOW INPUT OFFSET VOLTAGE: ±200µV  
● LOW INPUT OFFSET DRIFT: ±2µV/°C  
● LOW INPUT NOISE:  
20nV/√Hz at f = 1kHz (G =100)  
Gain can be set from 1V to 10,000V/V with a single  
external resistor. Internal input protection can with-  
stand up to ±40V without damage.  
● HIGH CMR: 106dB  
● WIDE SUPPLY RANGE: ±2.25V to ±18V  
● LOW NONLINEARITY ERROR: 0.001% max  
● INPUT PROTECTION TO ±40V  
The INA121 is laser-trimmed for very low offset  
voltage (±200µV), low offset drift (±2µV/°C), and  
high common-mode rejection (106dB at G = 100). It  
operates on power supplies as low as ±2.25V (+4.5V),  
allowing use in battery operated and single 5V sys-  
tems. Quiescent current is only 450µA.  
● 8-PIN DIP AND SO-8 SURFACE MOUNT  
APPLICATIONS  
Package options include 8-pin plastic DIP and SO-8  
surface mount. All are specified for the –40°C to  
+85°C industrial temperature range.  
● LOW-LEVEL TRANSDUCER AMPLIFIERS  
Bridge, RTD, Thermocouple  
● PHYSIOLOGICAL AMPLIFIERS  
ECG, EEG, EMG, Respiratory  
● HIGH IMPEDANCE TRANSDUCERS  
● CAPACITIVE SENSORS  
● MULTI-CHANNEL DATA ACQUISITION  
● PORTABLE, BATTERY OPERATED SYSTEMS  
● GENERAL PURPOSE INSTRUMENTATION  
V+  
7
INA121  
2
1
Over-Voltage  
Protection  
–
VIN  
A1  
50kΩ  
RG  
G = 1 +  
40kΩ  
40kΩ  
25kΩ  
25kΩ  
6
5
A3  
VO  
RG  
8
3
A2  
Ref  
Over-Voltage  
Protection  
+
40kΩ  
40kΩ  
VIN  
4
V–  
International Airport Industrial Park  
•
Mailing Address: PO Box 11400, Tucson, AZ 85734  
•
Street Address: 6730 S. Tucson Blvd., Tucson, AZ 85706  
Telex: 066-6491 FAX: (520) 889-1510  
• Tel: (520) 746-1111 • Twx: 910-952-1111  
Internet: http://www.burr-brown.com/  
•
FAXLine: (800) 548-6133 (US/Canada Only) Cable: BBRCORP  
•
•
•
•
Immediate Product Info: (800) 548-6132  
©1997 Burr-Brown Corporation  
PDS-1412A  
Printed in U.S.A. May, 1998  
SBOS078  
1234567...17

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