是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | CERAMIC, DIP-16 |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.46 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.00005 µA |
标称带宽 (3dB): | 2.5 MHz | 最小共模抑制比: | 80 dB |
最大输入失调电流 (IIO): | 0.000025 µA | 最大输入失调电压: | 3250 µV |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T16 | 长度: | 20.32 mm |
负供电电压上限: | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup): | -15 V |
最大非线性: | 0.02% | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 16 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP16,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | +-15 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.45 mm |
标称压摆率: | 17 V/us | 子类别: | Instrumentation Amplifier |
最大压摆率: | 4.5 mA | 供电电压上限: | 18 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | NO |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压增益: | 800 |
最小电压增益: | 1 | 标称电压增益: | 10 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
INA110BG-BI | TI |
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INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3250uV OFFSET-MAX, 2.5MHz BAND WIDTH, CDIP16 | |
INA110BG-BI | BB |
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Instrumentation Amplifier, 1 Func, 3250uV Offset-Max, 2.5MHz Band Width, CDIP16, | |
INA110KP | BB |
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Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER | |
INA110KP | TI |
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Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER | |
INA110KU | BB |
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Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER | |
INA110KU | TI |
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Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER | |
INA110KU/1K | TI |
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INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 6000uV OFFSET-MAX, 2.5MHz BAND WIDTH, PDSO16, SOIC-16 | |
INA110KU/1K | BB |
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Instrumentation Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, 2.5MHz Band Width, PDSO16, SOIC-16 | |
INA110KU-BI | TI |
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INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 6000uV OFFSET-MAX, 2.5MHz BAND WIDTH, PDSO16 | |
INA110KU-BI | BB |
获取价格 |
Instrumentation Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, 2.5MHz Band Width, PDSO16, |