INA102CG-BI

更新时间： 2024-11-19 13:08:47

品牌	Logo	应用领域
BB		仪表放大器
页数	文件大小	规格书
13页	174K
描述
Instrumentation Amplifier, 1 Func, BIPolar, CDIP16,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

INA102CG-BI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	放大器类型：	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
JESD-30 代码：	R-XDIP-T16	JESD-609代码：	e0
标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	封装主体材料：	CERAMIC
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP16,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
电源：	+-15 V	子类别：	Instrumentation Amplifiers
最大压摆率：	0.75 mA	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	NO	技术：	BIPOLAR
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

INA102CG-BI 数据手册

INA102

ABRIDGED DATA SHEET

For Complete Data Sheet

Call Fax Line 1-800-548-6133

Request Document Number 10523

Low Power

INSTRUMENTATION AMPLIFIER

FEATURES

APPLICATIONS

● LOW QUIESCENT CURRENT: 750µA max

● INTERNAL GAINS: 1, 10, 100, 1000

● LOW GAIN DRIFT: 5ppm/°C max

● HIGH CMR: 90dB min

● AMPLIFICATION OF SIGNALS FROM

SOURCES SUCH AS:

Strain Gages (Weigh Scale Applications)

Thermocouples

Bridge Transducers

● LOW OFFSET VOLTAGE DRIFT:

2µV/°C max

● REMOTE TRANSDUCER AMPLIFIER

● LOW-LEVEL SIGNAL AMPLIFIER

● MEDICAL INSTRUMENTATION

● MULTICHANNEL SYSTEMS

● LOW OFFSET VOLTAGE: 100µV max

● LOW NONLINEARITY: 0.01% max

● HIGH INPUT IMPEDANCE: 10¹⁰Ω

● BATTERY POWERED EQUIPMENT

DESCRIPTION

The INA102 is a high-accuracy monolithic instrumen-

tation amplifier designed for signal conditioning

applications where low quiescent power is desired.

On-chip thin-film resistors provide excellent tempera-

ture and stability performance. State-of-the-art laser-

trimming technology insures high gain accuracy and

common-mode rejection while avoiding expensive

external components. These features make the INA102

ideally suited for battery-powered and high-volume

applications.

V+

V–

4.44kΩ

404Ω

A₁

20kΩ

5pF

20kΩ

40.04Ω

5pF

A₃

20kΩ

The INA102 is also convenient to use. A gain of 1, 10,

100, or 1000 may be selected by simply strapping the

appropriate pins together. A gain drift of 5ppm/°C in

low gains can then be achieved without external

adjustment. When higher-than-specified CMR is

required, CMR can be trimmed using the pins pro-

vided. In addition, balanced filtering can be accom-

plished in the output stage.

A₂

5pF

International Airport Industrial Park

•

Mailing Address: PO Box 11400

Cable: BBRCORP

•

Tucson, AZ 85734

•

Street Address: 6730 S. Tucson Blvd.

• Tucson, AZ 85706

Tel: (520) 746-1111 • Twx: 910-952-1111

•

Telex: 066-6491

•

FAX: (520) 889-1510

•

Immediate Product Info: (800) 548-6132

PDS-523G

Printed in U.S.A. October, 1993

SBOS137

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与INA102CG-BI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
INA102CL	BB	获取价格	Instrumentation Amplifier, 1 Func, BIPolar, CQCC20,
INA102KP	BB	获取价格	Low Power INSTRUMENTATION AMPLIFIER
INA102KP-BI	BB	获取价格	Instrumentation Amplifier, 1 Func, BIPolar, PDIP16,
INA102KU	BB	获取价格	Instrumentation Amplifier, 1 Func, BIPolar, PDSO16,
INA102KU-BI	BB	获取价格	Instrumentation Amplifier, 1 Func, BIPolar, PDSO16,
INA103	BB	获取价格	Low Noise, Low Distortion INSTRUMENTATION AMPLIFIER
INA103	TI	获取价格	低噪声、低失真仪表放大器
INA103_07	BB	获取价格	Low Noise, Low Distortion INSTRUMENTATION AMPLIFIER
INA10386	AGILENT	获取价格	Low Noise, Cascadable Silicon Bipolar MMIC Amplifier
INA-10386	AGILENT	获取价格	Low Noise, Cascadable Silicon Bipolar MMIC Amplifier

与INA102CG-BI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

22
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

14
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

44
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

43

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

INA102CG-BI

INA102CG-BI 技术参数

INA102CG-BI 数据手册

与INA102CG-BI相关器件

与INA102CG-BI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

INA102CG-BI

INA102CG-BI 技术参数

INA102CG-BI 数据手册

与INA102CG-BI相关器件

与INA102CG-BI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？