INA-51063

更新时间： 2024-11-17 22:05:07

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2.4 GHz Low Noise Silicon MMIC Amplifier

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INA-51063 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP6,.08	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
端子数量：	6	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP6,.08	电源：	5 V
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	14 mA
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

INA-51063 数据手册

2.4 GHz Low Noise Silicon MMIC

Amplifier

Technical Data

INA-51063

Description

Hewlett-Packard’s INA-51063 is a

Silicon monolithic amplifier that

offers excellent gain and noise

figure for applications to 2.4 GHz.

Packaged in an ultra-miniature

SOT-363 package, it requires half

the board space of a SOT-143

package.

Surface Mount SOT-363

(SC-70) Package

Features

• Ultra-Miniature Package

• Internally Biased, Single 5 V

Supply (12 mA)

• 20.5 dB Gain

• 3 dB NF

• Unconditionally Stable

Applications

Pin Connections and

Package Marking

The INA-51063 uses a topology

which is internally biased,

eliminating the need for external

components and providing

decreased sensitivity to ground

inductance.

• Amplifier for Cellular,

Cordless, Special Mobile

Radio, PCS, ISM, Wireless

LAN, DBS, TVRO, and TV

Tuner Applications

GND 1

GND 2

OUTPUT

5 GND

INPUT 3

4 V

The INA-51063 is fabricated using

HP’s 30 GHz f_MAXISOSAT

Note: Package marking provides

orientation and identification.

Silicon bipolar process which

uses nitride self-alignment sub-

micrometer lithography, trench

isolation, ion implantation, gold

metallization, and polyimide

intermetal dielectric and scratch

protection to achieve superior

performance, uniformity, and

reliability.

Equivalent Circuit (Simplified)

OUTPUT

INPUT

GROUND

6-151

5965-9680E

12 3 4 5

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