INA-50311

更新时间： 2024-11-20 22:05:07

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安捷伦 - AGILENT		放大器
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描述
1 GHz Low Noise Silicon MMIC Amplifier

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INA-50311 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-253	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.86	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	端子数量：	4
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TO-253
电源：	5 V	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	22 mA	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

INA-50311 数据手册

1 GHz Low Noise Silicon MMIC

Amplifier

Technical Data

INA-50311

SOT-143 Surface Mount

Package

Description

Features

• Internally Biased, Single 5 V

Supply (17 mA)

• 19 dB Gain

• 3.6 dB NF

Hewlett-Packard’s INA-50311 is a

Silicon monolithic amplifier that

offers excellent gain and noise

figure for applications to1.0 GHz.

Packaged in a miniature SOT-143

package, it requires very little

board space.

• Unconditionally Stable

Applications

• Amplifier for Cellular,

Cordless, Special Mobile

Radio, PCS, ISM, Wireless

LAN, and TV Tuner

Pin Connections and

Package Marking

The INA-50311 uses a topology

which is internally biased,

eliminating the need for external

components and providing

decreased sensitivity to ground

inductance.

GND

INPUT

Applications

OUTPUT

The INA-50311 is fabricated using

HP’s 30 GHz f_MAXISOSAT^TM

Silicon bipolar process which

uses nitride self-alignment sub-

micrometer lithography, trench

isolation, ion implantation, gold

metallization, and polyimide

intermetal dielectric and scratch

protection to achieve superior

performance, uniformity, and

reliability.

Equivalent Circuit (Simplified)

OUTPUT

INPUT

GROUND

6-146

5963-6680E

12 3 4 5

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