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INA-32063-TR2

更新时间： 2024-11-25 03:55:07

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安捷伦 - AGILENT		放大器射频微波
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11页	81K
描述
3.0 GHz Wideband Silicon RFIC Amplifier

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INA-32063-TR2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP6,.08	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.1	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	15.5 dB
最大输入功率 (CW)：	7 dBm	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	端子数量：	6
最大工作频率：	3000 MHz	最小工作频率：	100 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TSSOP6,.08
电源：	3 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	25 mA
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压驻波比：	1.6
Base Number Matches：	1

INA-32063-TR2 数据手册

3.0 GHz Wideband Silicon

RFIC Amplifier

Technical Data

INA-32063

Features

Surface Mount SOT-363

( SC-70) Package

Description

• 17 dB Gain at 1.9 GHz

Agilent’s INA-32063 is a Silicon

RFIC amplifier that offers

excellent gain and output power

for applications to 3.0 GHz.

Packaged in an ultraminiature

SOT-363 package, it requires half

of the board space of a SOT-143

package.

• +3 dBm P_{1 dB}at 1.9 GHz

• Single +3V Supply

• Unconditionally Stable

Applications

• LO Buffer and Driver

Amplifier for Cellular,

Cordless, Special Mobile

Radio, PCS, ISM, Wireless

LAN, DBS, TVRO, and TV

Tuner

Pin Connections and

Package Marking

The INA-32063 offers wide

bandwidth and good linearity and

17 dB gain with a modest supply

current. With its input and output

matched internally to 50 Ω, the

INA-32063 is a simple to use gain

block that is suitable for

GND 2 1

GND 1 2

INPUT 3

OUTPUT

& V

5 GND 1

4 V

numerous applications.

Note: Package marking provides

orientation and identification.

The INA-32063 is fabricated using

Agilent’s 30 GHz–fmax,

ISOSAT™ Silicon-bipolar process

that uses nitride, self-alignment,

submicrometer lithography,

trench isolation, ion implantation,

and polyimide intermetal dielec-

tric and scratch protection to

achieve superior performance,

uniformity and reliability.

Simplified Schematic

Output & V

Input

Gnd1

Gnd2

12 3 4 5 6 7...11

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