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IMX6T109

更新时间: 2024-11-28 18:51:35
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罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

IMX6T109 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:2.5 pF
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):56JESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1

IMX6T109 数据手册

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