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IMSH1GE13A1F1C-10G

更新时间: 2024-11-25 19:39:07
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奇梦达 - QIMONDA 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
60页 3427K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, GREEN, UDIMM-120

IMSH1GE13A1F1C-10G 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,针数:120
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST其他特性:SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N120内存密度:8589934592 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:120字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:128MX64封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IMSH1GE13A1F1C-10G 数据手册

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November 2007  
IMSH51U03A1F1C  
IMSH51E03A1F1C  
IMSH1GU13A1F1C  
IMSH1GE13A1F1C  
240-Pin DDR3 Unbuffered Memory Modules  
512 MB, 1GB  
RoHS Compliant  
Advance  
Internet Data Sheet  
Rev. 0.54  

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