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IMD8AT108 PDF预览

IMD8AT108

更新时间： 2024-09-14 21:10:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SC-74, 6 PIN

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IMD8AT108 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.78
其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

IMD8AT108 数据手册

  
IMD8A  
Transistors  
Digital Transistor  
(Dual Digital Transistors for Inverter Drive)  
IMD8A  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Both the DTA144T chip and DTC144T chip in a SMT package.  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
1.6  
2.8  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
50  
50  
5
V
V
0.3to0.6  
I
C
100  
mA  
mW  
°C  
Each lead has same dimensions  
Collector power dissipation  
Storage temperature  
Pc  
300(TOTAL)  
−55~+150  
∗
Tstg  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
200mW per element must not be exceeded. PNP type negative symbols have been omitted.  
∗
!Package, marking, and packaging specifications  
Type  
IMD8A  
SMT6  
D8  
Package  
Marking  
Code  
T108  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
!Circuit diagram  
R1  
R1  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
50  
50  
50  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
250  
47  
−
−
−
0.5  
0.5  
0.3  
600  
61.1  
V
V
I
I
I
C
C
E
=
=
=
50µA  
1mA  
V
50µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
µA  
µA  
V
V
V
CB  
=
=
50V  
4V  
I
EB  
Emitter cutoff current  
V
I
C
=
5mA , I  
B
C
=
=
0.5mA  
1mA  
−
Collector-emitter saturation voltage  
h
100  
32.9  
−
kΩ  
V
CE =  
5V , I  
DC current transfer ratio  
Input resistance  
R1  
PNP type negative symbols have been omitted.  
1

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IMD8AT108 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IMD1AT108 ROHM

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
IMD10AT108 ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
IMD16AT108 ROHM

功能相似

 General purpose (dual digital transistors)

与IMD8AT108相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMD9 ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SO
IMD9A ROHM

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 		Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive)
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 		Small Signal Bipolar Transistor
IMD-B102-01 MURATA

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 		Optoelectronic Device, HERMETIC SEALED, METAL CAN-4
IMDJ-65601L-25:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
IMDJ-65601L-25SHXXX TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
IMDJ-65601L-25SHXXX:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
IMDJ-65601L-25SHXXX:R TEMIC

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