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IMD3AT109

更新时间: 2024-09-09 09:55:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

IMD3AT109 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.76Is Samacsys:N
其他特性:DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

IMD3AT109 数据手册

 浏览型号IMD3AT109的Datasheet PDF文件第2页 

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