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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | IMAGE REJECTION |
| 特性阻抗： | 50 Ω | 最大变频损耗： | 9 dB |
| 最大输入功率 (CW)： | 最高工作温度： | 85 °C | |
| 最低工作温度： | -55 °C | 射频/微波设备类型： | IMAGE REJECTION |
| 最大电压驻波比： | 1.5 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMB3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | SO |
|
| IMB30-15BNOVC0S | SICK |
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INDUCTIVE PROXIMITY SENSORS |
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| IMB30-15BPOVC0S | SICK |
获取价格 |
INDUCTIVE PROXIMITY SENSORS |
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| IMB3A | ROHM |
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General purpose (dual digital transistors) |
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| IMB3AFRAT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| IMB3AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, |
|
| IMB3AT110 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SMT6, S |
|
| IMB3NT110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74, |
|
| IMB4 | ETC |
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TRANSISTOR | SO |
|
| IMB42CGR | TE |
获取价格 |
Signal Relays |
|
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