Datasheet > IM811C-61-AH-080.0000MHZ

IM811C-61-AH-080.0000MHZ

更新时间： 2024-11-08 19:30:11

品牌	Logo	应用领域
ILSI		机械振荡器
页数	文件大小	规格书
7页	534K
描述
80MHz Nom,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IM811C-61-AH-080.0000MHZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	其他特性：	TRI-STATE; ENABLE/DISABLE FUNCTION
最长下降时间：	2 ns	频率调整-机械：	NO
频率稳定性：	25%	安装特点：	SURFACE MOUNT
端子数量：	4	标称工作频率：	80 MHz
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
振荡器类型：	LVCMOS/HCMOS	输出负载：	15 pF
封装等效代码：	DILCC4,.1,86	物理尺寸：	3.2mm x 2.5mm x 0.8mm
最长上升时间：	2 ns	最大供电电压：	2.75 V
最小供电电压：	2.25 V	标称供电电压：	2.5 V
表面贴装：	YES	最大对称度：	45/55 %
Base Number Matches：	1

IM811C-61-AH-080.0000MHZ 数据手册

浏览型号IM811C-61-AH-080.0000MHZ的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IM811C-61-AH-080.0000MHZ的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IM811C-61-AH-080.0000MHZ的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IM811C-61-AH-080.0000MHZ的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IM811C-61-AH-080.0000MHZ的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IM811C-61-AH-080.0000MHZ的Datasheet PDF文件第7页

MEMS Oscillator, Ultra Performance, High Freq., LVCMOS/ HCMOS Compatible, 80.0 MHz to 220.0MHz

IM811 Series

Features:

Typical Applications:



MEMS Technology



Fibre Channel

Server and Storage

GPON, EPON

100M / 1G /10G Ethernet

Direct pin to pin drop-in replacement for industry-standard packages

Ultra-low phase jitter: 0.5 pSec (12 kHz to 20 MHz)

LVCMOS/HCMOS Compatible Output

Industry-standard package 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5, and 5.0 x 3.2 mm x mm

Pb-free, RoHS and REACH compliant

Fast delivery times

Electrical Specifications:

Frequency Range

80.000 MHz to 220.000MHz

See Part Number Guide

Frequency Stability

Inclusive of Initial Tolerance, Operating Temperature Range, Load, and

Voltage

Operating Temperature

Supply Voltage (Vdd) ±10%

Current Consumption

See Part Number Guide

34 mA typ./ 36 mA max

30 mA typ./ 33 mA max

No load condition, f = 100 MHz, Vdd = +2.5 V, +2.8 V or +3.3 V

No load condition, f = 100 MHz, Vdd = +1.8V

OE Disable Current

Standby Current

31 mA max

30 mA max

Vdd = +2.5 V, +2.8 V or +3.3 V, OE = GND

Vdd = +1.8 V, OE = GND

ꢀꢀꢀ

70 µA max

10 µA max

Vdd = +2.5 V, +2.8 V or +3.3 V, ST = GND

ꢀꢀꢀ

Vdd = +1.8 V, ST = GND

Waveform Output

Symmetry

LVCMOS/HCMOS

45%/55%

40%/60%

F = less than 165 MHz all Vdds

F = greater than 165 MHz all Vdds

Rise / Fall Time

Logic “1”

1.2 nSec typ./ 2.0 nSec max

90% of Vdd min

15 pF Load, 10% to 90% of Vdd

Logic “0”

10% of Vdd max

ꢀꢀꢀ

Input Voltage High

Input Voltage Low

Input Pull-up Impedance

70% of Vdd min

Pin 1, OE or ST

ꢀꢀꢀ

30% of Vdd max

Pin 1, OE or ST

ꢀꢀꢀ

100 kΩ typ./ 250 kΩ max

2.0 MΩ min

Pin 1, OE logic high or logic low, or ST logic high

Pin 1, ST logic low

ꢀꢀꢀ

Startup Time

7 mSec typ./ 10 mSec max

115 nSec max

Measured from the time Vdd reaches its rated minimum values

F= 80 MHz, For other frequencies, T_oe = 100 nSec = 3 cycles

OE Enable/Disable Time

Resume Time

ꢀꢀꢀ

10 mSec max

In standby mode, measured from the time ST pin crosses 50% threshold.

RMS Period Jitter

1.5 pSec typ./ 2.0 pSec max

2.0 pSec typ./ 3.0 pSec max

F = 156.25 MHz, Vdd = +2.5 V,+2.8 V or +3.3 V

F = 156.25 MHz, Vdd = +1.8 V

RMS Phase Jitter (random)

First year Aging

10-years Aging

Notes:

0.5 pSec typ./ 1.0 pSec max

±1.5 ppm

F = 156.25 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz to 20 MHz

At +25ºC ±2ºC

±5.0 ppm



All min and max limits are specified over temperature and rated operating voltage with 15pF output unless otherwise stated.

Typical values are at +25ºC and nominal supply voltage.

Absolute Maximum Limits

Storage Temperature

Supply Voltage (Vdd)

Electrostatic Discharge

-65ºC to +150ºC

-0.5 VDC to 4.0 VDC

2000 V max

Solder Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines)

Junction Temperature

260ºC max

150ºC max

Rev: 01/30/16_A

Page 1 of 7

ILSI America Phone 775-851-8880 ● Fax 775-851-8882 ●email: e-mail@ilsiamerica.com ●

www.ilsiamerica.com

Specifications subject to change without notice

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IM811C-61-AH-080.0000MHZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IM811C-62-ES-080.0000MHZ	ILSI	获取价格	80MHz Nom,
IM811C-63-BS-220.0000MHZ	ILSI	获取价格	220MHz Nom,
IM811C-63-ES-220.0000MHZ	ILSI	获取价格	220MHz Nom,
IM811C-71-AS-100.0000MHZ	ILSI	获取价格	100MHz Nom,
IM811C-71-AS-220.0000MHZ	ILSI	获取价格	220MHz Nom,
IM811C-72-AH-220.0000MHZ	ILSI	获取价格	220MHz Nom,
IM811C-73-ES-100.0000MHZ	ILSI	获取价格	100MHz Nom,
IM811C-73-ES-125.0000MHZ	ILSI	获取价格	125MHz Nom,
IM811C-73-ES-220.0000MHZ	ILSI	获取价格	220MHz Nom,
IM811D	ILSI	获取价格	Direct pin to pin drop-in replacement for industry-standard packages

与IM811C-61-AH-080.0000MHZ相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

21
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

20
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

44
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IM811C-61-AH-080.0000MHZ

IM811C-61-AH-080.0000MHZ 技术参数

IM811C-61-AH-080.0000MHZ 数据手册

与IM811C-61-AH-080.0000MHZ相关器件

与IM811C-61-AH-080.0000MHZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IM811C-61-AH-080.0000MHZ

IM811C-61-AH-080.0000MHZ 技术参数

IM811C-61-AH-080.0000MHZ 数据手册

与IM811C-61-AH-080.0000MHZ相关器件

与IM811C-61-AH-080.0000MHZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？