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IL212AT

更新时间： 2024-01-04 17:37:17
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体光电晶体管光电晶体管输出元件
页数 文件大小 规格书
6页 133K
描述
Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection in

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IL212AT 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
Is Samacsys：N当前传输比率-最小值：50%
最大正向电流：0.06 A最大正向电压：1.5 V
最大绝缘电压：1500 VJESD-609代码：e0
安装特点：SURFACE MOUNT元件数量：1
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-55 °C
最大功率耗散：0.25 W最长响应时间：0.000003 s
子类别：Optocoupler - Transistor Outputs表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

IL212AT 数据手册

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IL211AT/ 212AT/ 213AT  
Vishay Semiconductors  
Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection in  
SOIC-8 package  
Features  
• Isolation Voltage, 3000 V  
RMS  
• Industry Standard SOIC-8A Surface Mountable  
Package  
A
K
NC  
B
1
2
8
7
6
5
• Compatible with Dual Wave, Vapor Phase and IR  
Reflow Soldering  
• Lead-free component  
C
NC  
NC  
3
4
E
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
i179002  
Pb  
e3  
Pb-free  
In addition to eliminating through-holes requirements,  
this package conforms to standards for surface  
mounted devices.  
Agency Approvals  
• UL1577, File No. E52744 System Code Y  
• DIN EN 60747-5-2 (VDE0884)  
DIN EN 60747-5-5 pending  
Available with Option 1  
A choice of 20, 50, and 100 % minimum CTR at  
I = 10 mA makes these optocouplers suitable for a  
F
variety of different applications.  
Description  
Order Information  
The IL211AT/ IL212AT/ IL213AT are optically cou-  
pled pairs with a Gallium Arsenide infrared LED and  
silicon NPN phototransistor. Signal information,  
including a DC level, can be transmitted by the device  
while maintaining a high degree of electrical isolation  
between input and output. The IL211AT/ IL212AT/  
IL213AT comes in a standard SOIC-8 small outline  
package for surface mounting which makes it ideally  
suited for high density applications with limited space.  
Part  
Remarks  
CTR > 20 %, SOIC-8  
CTR > 50 %, SOIC-8  
CTR > 100 %, SOIC-8  
IL211AT  
IL212AT  
IL213AT  
Available only on Tape and Reel Option  
(Conforms to EIA Standard RS481A)  
For additional information on the available options refer to  
Option Information.  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Stresses in excess of the absolute Maximum Ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is  
not implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute  
Maximum Rating for extended periods of the time can adversely affect reliability.  
Input  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
VR  
Value  
6.0  
Unit  
V
Peak reverse voltage  
Forward continuous current  
Power dissipation  
IF  
60  
90  
mA  
mW  
Pdiss  
Derate linearly from 25 °  
1.2  
mW/°C  
Document Number 83615  
Rev. 1.5, 26-Oct-04  
www.vishay.com  
1
123456

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