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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 60 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 262 ns | 标称接通时间 (ton)： | 50 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IKW40N120H3 | INFINEON |
类似代替  |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA |
|
| IRG4PC50WPBF | INFINEON |
类似代替 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| IRG4PC50UDPBF | INFINEON |
类似代替 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IKW30N60T | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-p |
|
| IKW30N60TA | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IKW30N65ES5 | INFINEON |
获取价格 |
high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode |
|
| IKW30N65ES5_15 | INFINEON |
获取价格 |
high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode |
|
| IKW30N65ET7 | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP™ IGBT7 |
|
| IKW30N65H5 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT TRENCHSTOP™ 5 |
|
| IKW30N65WR5 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
|
| IKW30N65WR5_15 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
|
| IKW40N120CH7 | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP™ IGBT7 |
|
| IKW40N120CS6 | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP™ IGBT6 |
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