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IFN105

更新时间： 2024-11-30 20:19:39

品牌	Logo	应用领域
INTERFET		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	49K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226

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IFN105 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
FET 技术：	JUNCTION	JEDEC-95代码：	TO-226
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IFN105 数据手册

D-2

01/99

Japanese Equivalent JFET Types

Silicon Junction Field-Effect Transistors

2SK17

IFN17

NJ16

2SK40

IFN40

NJ16

2SK59

IFN59

NJ16

2SK105

IFN105

NJ16

Japanese

InterFET

Process

Unit

Parameters

Conditions

Limit

Channel

Min

BV_GSS

I_G= – 1.0 µA

– 20

– 50

– 30

– 50

Max

0.10

(–10 V)

1.0

(–30 V)

1.0

(–10 V)

1.0

(–30 V)

I_GSS

V = ( ), V = Ø

–0.5/–6.0

(10 V)

–0.4/–5.0

(15 V)

–0.4/–5.0

(10 V)

–0.25/–4.5

(5.0 V)

V = ( ), I_D= 1.0 nA

GS(off)

Min/Max

0.3/6.5

(10 V)

0.6/6.5

(15 V)

0.3/1.4

(10 V)

0.5/12

(5.0 V)

I_DSS

g_fs

V = ( ), V = Ø

Typ

2.0

(10 V)

2.0

(15 V)

1.5

(10 V)

2.1

(5.0 V)

V = ( ), V = Ø

Typ

4.0

(Ø) (Ø)

4.0

(Ø) (15 V)

4.0

(Ø) (10 V)

V = ( ), V_DS= ( )

iss

Typ

1.2

(– 10 V) (Ø)

1.2

(Ø) (15 V)

1.0

(Ø) (10 V)

V = ( ), V_DS= ( )

rss

TO-226AA

SGD

TO-226AA

SGD

TO-226AA

SGD

TO-226AA

DGS

Package Configuration

Pin Configuration

1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042

(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375

www.interfet.com

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